測量范圍

 電阻率：0.001～200Ω.cm(可擴(kuò)展)；  
 方塊電阻：0.01～2000Ω/□(可擴(kuò)展)；
 電導(dǎo)率：0.005～1000 s/cm；
 電阻：0.001～200Ω.cm；

可測晶片厚度

 ≤3mm

可測晶片直徑

 140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
 200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
 400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；

恒流源

 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表

 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
 分辨力：10μV；
 輸入阻抗：>1000MΩ；
 度：±0.1% ；
 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動顯示；

四探針探頭基本標(biāo)

 間距：1±0.01mm；
 針間緣電阻：≥1000MΩ；
 機(jī)械游移率：≤0.3%；
 探針：碳化鎢或速鋼Ф0.5mm；
 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

 (見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87行)

 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測量zui大相對誤差

(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±4%

整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

 ≤4%

計(jì)算機(jī)通訊接口

 并口

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

 溫度：23±2℃；
 相對濕度：≤65%；
 無頻干擾；
 無強(qiáng)光直射；